Hitachi и MIT: чипы CMOS с напряжением питания 0,175 В!

Исследовательский центр компании Hitachi и Массачусетский технологический институт (Massachusets Institute of Technology, MIT) объявили о совместной разработке низковольтной экономичной технологии выпуска чипов для мобильного оборудования. В основу новой технологии положены наработки Hitachi в области изучения токов смещения в подложках, а также технология контроля напряжения питания, разработанная в MIT. В настоящее время ведутся подготовки к пробному производству 16-битных чипов с применением 0,14 мкм CMOS техпроцесса и напряжением питания 0,175 В, что вплотную приближается к отметке 0,1 В - теоретическому пределу CMOS чипов при комнатной температуре.