Toshiba и SanDisk объявили о разработке новой архитектуры ячеек флэш-памяти NAND

Toshiba и SanDisk объявили о разработке новой архитектуры ячеек флэш-памяти NAND, позволяющей перевести производство чипов памяти с 0,13 на 0,09 микронный процесс. Новая технология позволит увеличить ёмкость чипов флэш-памяти до 4 Гигабит. Подробности новой технологии были представлены на симпозиуме VLSI в Киото, Япония, 11 июня этого года. Toshiba и SanDisk уже провели испытания новых чипов памяти, доказавшие их работоспособность и надежность. Компании планируют начать производство по 0,09 микронной технологии в начале 2004 года на своем совместном предприятии FlashVision в Йоккайчи, Япония. В производстве чипов ёмкость 4 Гигабита будет использована технология многоуровневых ячеек памяти (MLC), позволяющая в каждой ячейке памяти хранить 2 бита информации. Большая емкость и более низкая стоимость MLC-памяти в пересчете на один бит позволят корпорациям Toshiba и SanDisk еще более усилить свои позиции на рынке. Toshiba и SanDisk являются признанными мировыми лидерами в создании технологий производства флэш-памяти. Компания Toshiba разработала технологию NAND; компания SanDisk является создателем технологии MLC.