Samsung 980 NVMe — накопитель SSD без DRAM-буфера

Компания Samsung Electronics анонсировала SSD 980 NVMe – первый потребительский накопитель компании без DRAM-буфера. Обеспечивая один из самых высоких уровней производительности среди твердотельных накопителей этой категории, новый 980 делает молниеносные скорости протокола NVMe доступными для более широкого круга пользователей.

«Благодаря инновациям в аппаратном и программном обеспечении наш новый твердотельный накопитель 980 обладает лучшими характеристиками без ущерба для высокой производительности протокола NVMe, – отметил Кюён Ли (KyuYoung Lee), вице-президент подразделения продуктов памяти Samsung Electronics. – 980 обладает отличным сочетанием скорости, энергоэффективности и надежности, благодаря чему подходит как для обычных пользователей ПК, так и для геймеров, а также для создателей контента».

Ранее конструкции накопителей без DRAM-буфера предоставляли более низкую скорость, что было обусловлено отсутствием буферной памяти для быстрого доступа к данным. В Samsung 980 используется технология Host Memory Buffer (HMB), которая напрямую подключает диск к DRAM хост-процессора, чтобы избежать этой проблемы. Данная технология в сочетании с новейшим V–NAND шестого поколения, а также оптимизированным контроллером и прошивкой, позволяет 980 обеспечивать скорость, в шесть раз превышающую показатели SATA SSD. Скорость последовательного чтения и записи достигает 3 500 и 3 000 МБ/с, а произвольного чтения и записи – 500 тыс. операций ввода-вывода в секунду (IOPS) и 480 тыс. IOPS соответственно.

Недавно обновленная технология Intelligent TurboWrite 2.0 также обеспечивает значительно большую устойчивость работы устройства по сравнению с предыдущей версией за счет выделения намного большей буферной области для хранения в конструкции накопителя.

Новый Full Power Mode («режим полной мощности»), добавленный в программное обеспечение SamsungMagician 6.3, предназначен для пользователей, работающих с очень большими файлами или запускающих графически требовательные игры, и позволяет накопителю непрерывно работать с максимальной производительностью.