Intel разработала транзисторы принципиально новой конструкции

26 ноября корпорация Intel сообщила о разработке транзисторов принципиально новой конструкции под кодовым названием TeraHerz и создании новых материалов для их изготовления, результатом чего станет резкое наращивание быстродействия компьютерных микросхем, повышение эффективности энергопотребления, снижение тепловыделения. Новая технология устраняет выявленные в последнее время препятствия технического характера, замедляющие темпы развития полупроводниковых технологий в соответствии с законом Мура. Две важнейшие составляющие новой конструкции транзисторов станут темой обсуждения на Международной конференции по электронным устройствам (International Electron Device Meeting, сокращенно IEDM), открывающейся 3 декабря в Вашингтоне. В технической документации, которую Intel готовит к этой конференции, рассматриваются вопросы, связанные с энергопотреблением, утечкой тока и тепловыделением, под углом двух новейших достижений в этой области: изобретения транзистора нового типа, получившего наименование "транзистор на обедненной подложке" ("depleted substrate transistor"), и создания нового материала, названного "высокоизолирующим диэлектриком К-затвора" ("high k gate dielectric"). Обе эти разработки способствуют резкому снижению утечки тока и энергопотребления. Транзисторы Intel TeraHertz устраняют основное препятствие организации массового производства микросхем завтрашнего дня, которые лягут в основу целого ряда принципиально новых электронных устройств. Корпорация Intel планирует приступить к промышленному внедрению компонентов новой конструкции уже в 2005 году.