Intel представила микросхему флэш-памяти StrataFlash с напряжением питания 3 В, способствующую наращиванию производительности сотовых телефонов, портативных ПК и других беспроводных устройств, быстродействие которой вчетверо превышает показатели обычных микросхем флэш-памяти. StrataFlash выполнена с использованием многоуровневой сотовой технологии MLC и изготовлена по технологии на 0,18 мкм, благодаря чему емкость каждой ячейки увеличивается вдвое. StrataFlash будут выпускаться в различных модификациях емкостью от 64 до 256 Мбит.
Редакция Hi-Fi.ru