Компания Samsung анонсировала первый в мире чип DRAM-памяти LPDDR4 на 8 Гбит для смартфонов и планшетов. Он обеспечивает гаджетам высокий уровень производительности и энергоэффективности, гарантируя быструю работу мобильных приложений, а также успешное использование в устройствах экранов со сверхвысоким разрешением при одновременной минимизации энергопотребления. Сделанная по 20-нм техпроцессу новинка имеет рекордный на сегодня показатель плотности хранения данных среди чипов памяти. Благодаря четырем чипам по 8 Гбит, собранным в одном корпусе, производители техники получают возможность установки сразу 4 Гбайт оперативной памяти LPDDR4 одним модулем. Стоить отметить, что память использует свежий интерфейс ввода/вывода LVSTL, впервые предложенный комитету JEDEC компанией
Samsung и впоследствии ставший стандартом для памяти LPDDR4 DRAM. Скорость передачи данных здесь составляет 3200 Мбит/с на контакт. «Новое поколение чипов памяти, поддерживающих интерфейс LPDDR4, вносит весомый вклад в развитие мирового рынка мобильной DRAM-памяти, так как вскоре стандарт LPDDR4 станет преобладающим, — отметил Ян-Хьюн Джун, исполнительный вице-президент направления продаж и маркетинга компьютерной памяти Samsung Electronics. — Мы продолжим представлять самые продвинутые модули DRAM-памяти, которые на шаг опережают другие продукты, что позволяет производителям оборудования своевременно выпускать инновационные мобильные устройства для пользователей».
Редакция Hi-Fi.ru