Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в индустрии NAND флеш-памяти с трехмерной структурой упаковки чипа и вертикальным расположением ячеек. Новинка позволяет преодолеть существующие ограничения масштабируемости энергонезависимой памяти. Ноу-хау 3D V-NAND с выгодным соотношением производительности и размера будет применяться в широком спектре потребительской электроники и корпоративных решений, в том числе во встраиваемой NAND-памяти и твердотельных накопителях. Первый чип Samsung V-NAND использует технологию 3D Charge Trap Flash, обеспечивающую большую надежность работы и одновременно позволяющую снизить стоимость комплектующих по сравнению вариантами с классическими ячейками с плавающим затвором, а также технологию многослойной компоновки с вертикальными внутричиповыми соединениями. «Новая технология 3D V-NAND является результатом многолетних разработок наших специалистов. Целью Samsung было выйти за рамки традиционных способов мышления и преодолеть существующие ограничения в создании упаковки полупроводниковой памяти с помощью инновационных решений, — говорит Чжон-Хек Чой, старший вице-президент направления флеш-памяти и технологий компании
Samsung Electronics. — Наряду с запуском производства первой в мире флеш-памяти 3D V-NAND мы продолжим представлять новые устройства 3D V-NAND с улучшенной производительностью и более высокой плотностью. Это поспособствует дальнейшему росту мировой индустрии продуктов памяти».
Редакция Hi-Fi.ru